Ogłoszenie nr 91702 - 2017 z dnia 2017-06-02 r.

Warszawa: dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1,5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1,5 cala
OGŁOSZENIE O UDZIELENIU ZAMÓWIENIA -

Zamieszczanie ogłoszenia: obowiązkowe.

Ogłoszenie dotyczy: zamówienia publicznego

Zamówienie dotyczy projektu lub programu współfinansowanego ze środków Unii Europejskiej

nie

Zamówienie było przedmiotem ogłoszenia w Biuletynie Zamówień Publicznych: tak
Numer ogłoszenia: 82446

Ogłoszenie o zmianie ogłoszenia zostało zamieszczone w Biuletynie Zamówień Publicznych: nie

SEKCJA I: ZAMAWIAJĄCY

Postępowanie zostało przeprowadzone przez centralnego zamawiającego

nie

nie

nie

nie

I. 1) NAZWA I ADRES: Instytut Technologii Elektronowej, krajowy numer identyfikacyjny 3897100000, ul. Al. Lotników , 02668 Warszawa, państwo Polska, woj. mazowieckie, tel. 225 487 700, faks 228 470 631, e-mail azygler@ite.waw.pl
Adres strony internetowej (URL): www.ite.waw.pl

I. 2) RODZAJ ZAMAWIAJĄCEGO:

Podmiot prawa publicznego

I.3) WSPÓLNE UDZIELANIE ZAMÓWIENIA (jeżeli dotyczy):

Podział obowiązków między zamawiającymi w przypadku wspólnego udzielania zamówienia, w tym w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej (jeżeli zamówienie zostało udzielone przez każdego z zamawiających indywidualnie informacja w sekcji I jest podawana przez każdego z zamawiających, jeżeli zamówienie zostało udzielone w imieniu i na rzecz pozostałych zamawiających w sekcji I należy wskazać który z zamawiających zawarł umowę):

SEKCJA II: PRZEDMIOT ZAMÓWIENIA

II.1) Nazwa nadana zamówieniu przez zamawiającego:

dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1,5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1,5 cala

Dostawy

Płytki podłożowe z monokrystalicznego GaN otrzymywanego metodą ammonotermalną o grubości 350 um i orientacji (0001) C, strona Ga polerowana optycznie w ilości 53 szt. 1) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1.5 cala, rezystywności >=10^9 OHcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 5 szt. 2) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1 cala, rezystywności >=10^9 OHcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 8 szt. 3) płytki z GaN typu n o średnicy 1.5 cala, rezystywności ~10^-3 OHcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 10 szt. 4) płytki z GaN typu n o średnicy 1 cala, rezystywności ~10^-3 OHcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 30 szt.

II.5) Główny Kod CPV: 24311140-0
Dodatkowe kody CPV:

SEKCJA III: PROCEDURA

III.1) TRYB UDZIELENIA ZAMÓWIENIA

Zamówienie z wolnej ręki

III.2) Ogłoszenie dotyczy zakończenia dynamicznego systemu zakupów

III.3) Informacje dodatkowe:

SEKCJA IV: UDZIELENIE ZAMÓWIENIA

IV.9) UZASADNIENIE UDZIELENIA ZAMÓWIENIA W TRYBIE NEGOCJACJI BEZ OGŁOSZENIA, ZAMÓWIENIA Z WOLNEJ RĘKI ALBO ZAPYTANIA O CENĘ

IV.9.1) Podstawa prawna
Postępowanie prowadzone jest w trybie zamówienie z wolnej ręki na podstawie art. 67 ust. 1 pkt 1b ustawy Pzp.

IV.9.2) Uzasadnienia wyboru trybu
Należy podać uzasadnienie faktyczne i prawne wyboru trybu oraz wyjaśnić, dlaczego udzielenie zamówienia jest zgodne z przepisami.
Wysokiej klasy monokrystaliczne, półizolacyjne podłoża GaN (GaN SI) oraz podłoża GaN typu n o niskiej gęstości dyslokacji są potrzebne do realizacji prac badawczo-rozwojowych w dziedzinie przyrządów wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości realizowanych w ITE. Materiałem spełniającym nasze wymagania (gęstość dyslokacji poniżej 10^5 cm^-2, rezystancja GaN SI >=10^9 OHcm) są podłoża GaN wytwarzane metodą ammonotermalną przez firmę AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej. W szczególności dotyczy to podłoży n-GaN, bowiem podłoża o tak niskiej gęstości dyslokacji oferowane są obecnie jedynie przez firmę AMMONO. Ammonotermalna technologia otrzymywania monokrystalicznego GaN oparta jest na szeregu patentów będących własnością firmy AMMONO. Podłoża GaN SI przeznaczone będą do prac rozwojowych nad technologią mikrofalowego tranzystora HEMT na pasmo S i wyższe. Badania nad tego typu tranzystorem wykorzystujące struktury AlGaN/GaN na podłożach z półizolacyjnego, monokrystalicznego azotku galu wytwarzanego metodą ammonotermalną rozpoczęte zostały w ramach projektu PBS1/A3/9/2012 Pol-HEMT. Członkiem konsorcjum realizującego projekt była firma AMMONO S.A. (obecnie AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej), której zadaniem było dostarczanie podłoży GaN SI. W wyniku przeprowadzonych badań wykonano wysokiej kasy tranzystor HEMT AlGaN/GaN, osiągając stopień zaawansowania technologicznego na poziomie TRL 4-5. W celu doskonalenia technologii a także podwyższenia poziomu TRL konieczne jest kontynuowanie badań, w szczególności szeroko pojętych badań mechanizmów degradacji i niezawodności tranzystorów HEMT. Wynika stąd konieczność posiadania podłoży tego samego rodzaju, jakie używane były podczas realizacji projektu, tj. monokrystalicznych, półizolacyjnych podłoży GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną, których jedynym wytwórcą jest firma AMMONO. Płytki podłożowe GaN typu n będą wykorzystywane w badaniach nad rozwojem technologii wertykalnych przyrządów z azotku galu, takich jak diody i tranzystory MOSFET. Do tego typu przyrządów wymagane jest stosowanie objętościowych kryształów GaN, wysokodomieszkowanych o niskiej rezystancji, na których hodowane będą epitaksjalnie warstwy aktywne przyrządów. Podłoża powinny być jak najlepszej jakości krystalograficznej, o najniższej dostępnej gęstości dyslokacji, poniżej 1x10^5 cm^-2. Dyslokacje są jednymi z tzw. "killer defects" w konstrukcji przyrządów wertykalnych (np. diod bipolarnych typu p-i-n) ograniczającymi napięcie przebicia i zwiększającymi prądy upływu a AMMONO, jak wspomniano wyżej, jest jedynym dostawcą n-GaN o tak niskiej gęstości dyslokacji.