Ten przetarg został już zakończony. Zobacz wynik tego przetargu
Ogłoszenie z dnia 2017-05-12
Ogłoszenie nr 82446 - 2017 z dnia 2017-05-12 r.
Warszawa: dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1.5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1.5 cala
OGŁOSZENIE O ZAMIARZE ZAWARCIA UMOWY -
Dostawy
Zamówienie dotyczy projektu lub programu współfinansowanego ze środków Unii Europejskiej
Postępowanie przeprowadza centralny zamawiający
nie
Postępowanie przeprowadza podmiot, któremu zamawiający powierzył/powierzyli przeprowadzenie postępowanianie
Informacje na temat podmiotu, któremu zamawiający powierzył/powierzyli prowadzenie postępowania:Postępowanie jest przeprowadzane wspólnie przez zamawiających
nie
Postępowanie jest przeprowadzane wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej
nie
W przypadku przeprowadzania postępowania wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej - mające zastosowanie krajowe prawo zamówień publicznych:
Informacje dodatkowe:
SEKCJA I: ZAMAWIAJĄCY
I. 1) NAZWA I ADRES: Instytut Technologii Elektronowej, krajowy numer identyfikacyjny
3897100000, ul.
Al. Lotników
,
02668
Warszawa, państwo
Polska, woj.
mazowieckie, tel.
225 487 700, faks
228 470 631, e-mail
azygler@ite.waw.pl
Adres strony internetowej (URL): www.ite.waw.pl
I. 2) RODZAJ ZAMAWIAJĄCEGO:
Podmiot prawa publicznego
I.3) WSPÓLNE UDZIELANIE ZAMÓWIENIA(jeżeli dotyczy):
Podział obowiązków między zamawiającymi w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania, w tym
w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej (który z zamawiających jest odpowiedzialny za przeprowadzenie postępowania, czy i w jakim zakresie za przeprowadzenie postępowania odpowiadają pozostali zamawiający, czy zamówienie będzie udzielane przez każdego z zamawiających indywidualnie, czy zamówienie zostanie udzielone w imieniu i na rzecz pozostałych zamawiających):
SEKCJA II: PRZEDMIOT ZAMÓWIENIA
II.1) Nazwa nadana zamówieniu przez zamawiającego: dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1.5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1.5 cala
Przed wszczęciem postępowania o udzielenie zamówienia nie przeprowadzono dialogu technicznego
Dostawy
II.3) Informacja o możliwości składania ofert częściowych:
Zamówienie podzielone jest na części:
Nie
II.4) Krótki opis przedmiotu zamówienia (wielkość, zakres, rodzaj i ilość dostaw, usług lub robót budowlanych lub określenie zapotrzebowania i wymagań):
Określenie wielkości lub zakresu zamówienia:
Płytki podłożowe z monokrystalicznego GaN otrzymywanego metodą ammonotermalną o grubości 350 um i orientacji (0001) C, strona Ga polerowana optycznie w ilości 53 szt.:
1) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1.5 cala, rezystywności >=10^9 OHcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 5 szt.
2) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1 cala, rezystywności >=10^9 OHcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 8 szt.
3) płytki z GaN typu n o średnicy 1.5 cala, rezystywności ~10^-3 OHcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 10 szt.
4) płytki z GaN typu n o średnicy 1 cala, rezystywności ~10^-3 OHcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 30 szt.
II.5) Główny kod CPV): 24311140-0,
Dodatkowe kody CPV:
II.6) Całkowita wartość zamówienia(jeżeli zamawiający podaje informacje o wartości zamówienia):
Wartość bez VAT:
Waluta:
SEKCJA III: PROCEDURA
III.1) Tryb udzielenia zamówienia: Zamówienie z wolnej ręki
III.2) Podstawa prawna
Postępowanie wszczęte zostało na podstawie art. 67 ust 1 pkt 1b ustawy Pzp.
III.3 Uzasadnienia wyboru trybu
Należy podać uzasadnienie faktyczne i prawne wyboru trybu oraz wyjaśnić, dlaczego udzielenie zamówienia jest zgodne z przepisami:
Wysokiej klasy monokrystaliczne, półizolacyjne podłoża GaN (GaN SI) oraz podłoża GaN typu n o niskiej gęstości dyslokacji są potrzebne do realizacji prac badawczo-rozwojowych
w dziedzinie przyrządów wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości realizowanych w ITE.
Materiałem spełniającym nasze wymagania (gęstość dyslokacji poniżej 10^5 cm^-2, rezystancja GaN SI >=10^9 OHcm) są podłoża GaN wytwarzane metodą ammonotermalną przez firmę AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej. W szczególności dotyczy to podłoży n-GaN, bowiem podłoża o tak niskiej gęstości dyslokacji oferowane są obecnie jedynie przez firmę AMMONO. Ammonotermalna technologia otrzymywania monokrystalicznego GaN oparta jest na szeregu patentów będących własnością firmy AMMONO.
Podłoża GaN SI przeznaczone będą do prac rozwojowych nad technologią mikrofalowego tranzystora HEMT na pasmo S i wyższe. Badania nad tego typu tranzystorem wykorzystujące struktury AlGaN/GaN na podłożach z półizolacyjnego, monokrystalicznego azotku galu wytwarzanego metodą ammonotermalną rozpoczęte zostały w ramach projektu PBS1/A3/9/2012 Pol-HEMT. Członkiem konsorcjum realizującego projekt była firma AMMONO S.A. (obecnie AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej), której zadaniem było dostarczanie podłoży GaN SI. W wyniku przeprowadzonych badań wykonano wysokiej kasy tranzystor HEMT AlGaN/GaN, osiągając stopień zaawansowania technologicznego na poziomie TRL 4-5. W celu doskonalenia technologii a także podwyższenia poziomu TRL konieczne jest kontynuowanie badań, w szczególności szeroko pojętych badań mechanizmów degradacji i niezawodności tranzystorów HEMT. Wynika stąd konieczność posiadania podłoży tego samego rodzaju, jakie używane były podczas realizacji projektu, tj. monokrystalicznych, półizolacyjnych podłoży GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną, których jedynym wytwórcą jest firma AMMONO.
Płytki podłożowe GaN typu n będą wykorzystywane w badaniach nad rozwojem technologii wertykalnych przyrządów z azotku galu, takich jak diody i tranzystory MOSFET. Do tego typu przyrządów wymagane jest stosowanie objętościowych kryształów GaN, wysokodomieszkowanych o niskiej rezystancji, na których hodowane będą epitaksjalnie warstwy aktywne przyrządów. Podłoża powinny być jak najlepszej jakości krystalograficznej, o najniższej dostępnej gęstości dyslokacji, poniżej 1x10^5 cm^-2. Dyslokacje są jednymi z tzw. "killer defects" w konstrukcji przyrządów wertykalnych (np. diod bipolarnych typu p-i-n) ograniczającymi napięcie przebicia i zwiększającymi prądy upływu a AMMONO, jak wspomniano wyżej, jest jedynym dostawcą n-GaN o tak niskiej gęstości dyslokacji.
SEKCJA IV: ZAMIAR UDZIELENIA ZAMÓWIENIA
NAZWA I ADRES WYKONAWCY KTÓREMU ZAMAWIAJĄCY ZAMIERZA UDZIELIĆ ZAMÓWIENIA:
Ammono SA - w upadłości likwidacyjnej,
,
ul. Prusa 2 ,
00-493,
Warszawa, kraj/woj.
INNE PRZETARGI Z WARSZAWY
- Zakup i sukcesywną dostawę materiałów opatrunkowych dla potrzeb Szpitala Wolskiego
- Badanie dokumentów finansowych pod kątem ustalenia odpowiedzialności z art. 299 ksh.
- Wykonanie remontu muru oporowego przy ul. Bednarskiej w Warszawie.
- Wykonanie zabezpieczenia w rejonie przebicia hydraulicznego na stopniu w m. Ochaby, gm. Skoczów, pow. Cieszyński woj. Śląskie
- ROBOTY BUDOWLANE NA RZECE BARYCZ WRAZ Z JEJ DOPŁYWAMI - etap I
- Sukcesywne dostawy środków czystości dla placówek oświatowych w Dzielnicy Wilanów m. st. Warszawy.
więcej: przetargi w Warszawie »
PRZETARGI Z PODOBNEJ KATEGORII
więcej: »
Uwaga: podstawą prezentowanych tutaj informacji są dane publikowane przez Urząd Zamówień Publicznych w Biuletynie Zamówień Publicznych. Treść ogłoszenia widoczna na eGospodarka.pl jest zgodna z treścią tegoż ogłoszenia dostępną w BZP w dniu publikacji. Redakcja serwisu eGospodarka.pl dokłada wszelkich starań, aby zamieszczone tutaj informacje były kompletne i zgodne z prawdą. Nie może jednak zagwarantować ich poprawności i nie ponosi żadnej odpowiedzialności za jakiekolwiek szkody powstałe w wyniku korzystania z nich.